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CSD25402Q3A
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    20V P 通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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产品订购热线:0755-22302646

CSD25402Q3A

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[http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/csd25402q3a.pdf

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描述:

MOSFET P-CH 20V 72A 8SON

厂家:

 TI  [ Texas Instruments ]

网址

http://www.ti.com

 

 

商品属性

数据列表 CSD25402Q3A
产品相片 8-Power TDFN
PCN 封装 ECAT Label Update 02/Oct/2014
制造商产品页 CSD25402Q3A Specifications
标准包装  2,500
类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列 NexFET™
包装  带卷(TR) 
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 72A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.9 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 9.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1790pF @ 10V
功率 - 最大值 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3)
其它名称 296-38916-2
CSD25402Q3A-ND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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